P＜100＞Si衬底晶向偏离度对外延埋层图形畸变的影响

衬底晶向偏高度对Ｐ型＜１００＞硅外延埋层图形畸变影响很大，在通常的外延生长条件下，当Ｐ型＜１００＞衬底主晶向朝最近（１１０）方向偏离２～３°时，可得到十分满意的埋层图形．这个结果对于修订标准具有参考价值．本文从外延生长的微观机制出发，对产生埋层外延图形畸变的原因和实验结果进行了分析。