%0 Journal Article
%T P＜100＞Si衬底晶向偏离度对外延埋层图形畸变的影响
%A 李养贤
%A 鞠玉林
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 衬底晶向偏高度对Ｐ型＜１００＞硅外延埋层图形畸变影响很大，在通常的外延生长条件下，当Ｐ型＜１００＞衬底主晶向朝最近（１１０）方向偏离２～３°时，可得到十分满意的埋层图形．这个结果对于修订标准具有参考价值．本文从外延生长的微观机制出发，对产生埋层外延图形畸变的原因和实验结果进行了分析。
%K 硅
%K 图形畸变
%K 外延生长
%K 半导体器件
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9F0DF084E1229073B9BCA3199CA7B4DE&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=E158A972A605785F&sid=6A73B36E85DB0CE9&eid=5B5B75F4854B8331&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2