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ISSN: 2333-9721
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Si(1-x)Ge_x外延层结构参数的椭偏光谱表征技术研究

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Abstract:

本文测量并分析了不同组分的Si1-xGex合金的椭偏光谱，得到了能量范围为2.0～5．0eV内的主要临界点的能量与Ge的组分的关系，给出用椭偏光谱分析Si1-xGex合金厚度和Ge组分的方法．

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