%0 Journal Article
%T Si(1-x)Ge_x外延层结构参数的椭偏光谱表征技术研究
%A 张瑞智
%A 罗晋生
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文测量并分析了不同组分的Si1-xGex合金的椭偏光谱，得到了能量范围为2.0～5．0eV内的主要临界点的能量与Ge的组分的关系，给出用椭偏光谱分析Si1-xGex合金厚度和Ge组分的方法．
%K 半导体
%K 硅
%K 锗
%K 椭偏光谱
%K 外延层结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E3102F847C8932C92FBA15A40DAD808B&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=5D311CA918CA9A03&sid=93ADA2AA3F969E58&eid=CD26609C367AC9C8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2