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ISSN: 2333-9721
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半导体学报 1997

半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响

吴巨,何宏家,范缇文,王占国,张绵

Keywords: 砷化镓,衬底,位错,MESFETs,旁栅效应

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Abstract:

在位错密度不同的LEC半绝缘（SI）GaAs衬底上离子注入制做MESFETs，观察衬底位错对MESFETs旁栅效应的影响．结果表明，衬底中高位错密度可以抑制旁栅效应．

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