%0 Journal Article
%T 半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响
%A 吴巨
%A 何宏家
%A 范缇文
%A 王占国
%A 张绵
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 在位错密度不同的LEC半绝缘（SI）GaAs衬底上离子注入制做MESFETs，观察衬底位错对MESFETs旁栅效应的影响．结果表明，衬底中高位错密度可以抑制旁栅效应．
%K 砷化镓
%K 衬底
%K 位错
%K MESFETs
%K 旁栅效应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=214DCAFA4774A30C&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=C7A2B92569DF5458&eid=A3F93694B058F76C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=1