自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究
王志明,
邓元明,
封松林,
吕振东,
陈宗圭,
王凤莲,
徐仲英,
郑厚植,
高旻,
韩培德,
段晓峰
Keywords: 量子点,自组织生长,多层垂直耦合,砷化铟
Abstract:
本文报道了关于InAs／GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果．透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和．还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于InAs层数，并由此导致多层耦含量子点的光致发光谱具有高能带尾．
Full-Text
