%0 Journal Article
%T 自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究
%A 王志明
%A 邓元明
%A 封松林
%A 吕振东
%A 陈宗圭
%A 王凤莲
%A 徐仲英
%A 郑厚植
%A 高旻
%A 韩培德
%A 段晓峰
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文报道了关于InAs／GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果．透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和．还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于InAs层数，并由此导致多层耦含量子点的光致发光谱具有高能带尾．
%K 量子点
%K 自组织生长
%K 多层垂直耦合
%K 砷化铟
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E90E03F860CC4C03&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=64808317C39DF331&eid=4AB4178709047BE3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=4