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ISSN: 2333-9721
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GaAs MESFET栅的取向效应——Ⅱ.实验

Keywords: MESFET栅,取向效应,GaAs衬底

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研究了(100)GaAs衬底上,离子注入自对准 WSi_x栅 GaAs MESFET的阈值电压漂移与栅长和取向的关系。当栅长小于2μm时,栅不同取向的阈值电压差别很大.本文同样将解析模型与已有的(111)GaAs衬底的实验进行了比较.结果表明解析模型与实验符合较好.

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