%0 Journal Article
%T GaAs MESFET栅的取向效应——Ⅱ.实验
%A 黄庆安
%A 童勤义
%A 吕世骥
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 研究了(100)GaAs衬底上,离子注入自对准 WSi_x栅 GaAs MESFET的阈值电压漂移与栅长和取向的关系。当栅长小于2μm时,栅不同取向的阈值电压差别很大.本文同样将解析模型与已有的(111)GaAs衬底的实验进行了比较.结果表明解析模型与实验符合较好.
%K MESFET栅
%K 取向效应
%K GaAs衬底
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=757DB94830B36936&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=94C357A881DFC066&sid=6826CBE9C80ACB20&eid=B4E8EA49DAAEB84F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1