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ISSN: 2333-9721
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半导体学报 1989

Charge Distribution of Mo-B Complex in Silicon
硅中Mo-B络合物的电荷分布

Wu Ji''''an/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,BeijingZhou Jie/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,BeijingZhang Daren/Research Center for Eco-Environment Sciences,Academia Sinica,Beijing,
吴汲安,周洁,张大仁

Keywords: 硅,深能级,络合物,电子结构,电荷

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Abstract:

我们对硅中Mo-B络合物的电子态作了SW-Xα自洽计算.通过体系电荷分布分析,结合前文Pd-B络合物的结果,对已被广为接受的描写间隙位过渡金属杂质和替代位IIIA族受主杂质络合物的离子模型的正确性提出了怀疑.

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