A 4 W K-band GaAs MMIC power amplifier with 22 dB gain
4W、22dB小信号增益K波段砷化镓单片微波集成功率放大器

本文报道了一种基于AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT工艺的4W K波段单片微波集成功率放大器。该功放采用0.15 μm功率pHEMT工艺，并在片内实现了输入、输出端口的50欧姆阻抗匹配。当直流偏置电压为5.6V、直流偏置电流为2.6A时，该功放在19~22 GHz工作频段内可以输出4W的饱和功率，并达到22dB的小信号增益、13dB的输入回波损耗、25%的功率附加效率。