%0 Journal Article
%T A 4 W K-band GaAs MMIC power amplifier with 22 dB gain<br>4W、22dB小信号增益K波段砷化镓单片微波集成功率放大器
%A Huang Zhengliang
%A Yu Faxin
%A Zheng Yao
%A <br>黄正亮
%A 郁发新
%A 郑耀
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本文报道了一种基于AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT工艺的4W K波段单片微波集成功率放大器。该功放采用0.15 μm功率pHEMT工艺，并在片内实现了输入、输出端口的50欧姆阻抗匹配。当直流偏置电压为5.6V、直流偏置电流为2.6A时，该功放在19~22 GHz工作频段内可以输出4W的饱和功率，并达到22dB的小信号增益、13dB的输入回波损耗、25%的功率附加效率。
%K K-band
%K power amplifier
%K MMIC
%K PHEMT<br>K波段
%K 功率放大器
%K 单片微波集成电路
%K 赝配高电子迁移率晶体管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9566D63C88A5B9645698ADD7074EFEDD&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=38B194292C032A66&sid=6F57FC79591251FD&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0