Study of High Reliability P-LDMOS
高可靠性P-LDMOS研究

分析了沟道高电场分布产生原因及各个参数对高电场的影响,提出了两条沟道设计的原则——拉长沟道同时降低沟道浓度.模拟结果显示,两条原则能够有效地降低沟道两端的两个峰值电场,从而缓解沟道热载流子效应,提高P-LDMOS的可靠性.