%0 Journal Article
%T Study of High Reliability P-LDMOS<br>高可靠性P-LDMOS研究
%A Sun Zhilin
%A Sun Weifeng
%A Yi Yangbo
%A Lu Shengli
%A <br>孙智林
%A 孙伟锋
%A 易扬波
%A 陆生礼
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 分析了沟道高电场分布产生原因及各个参数对高电场的影响,提出了两条沟道设计的原则——拉长沟道同时降低沟道浓度.模拟结果显示,两条原则能够有效地降低沟道两端的两个峰值电场,从而缓解沟道热载流子效应,提高P-LDMOS的可靠性.
%K LDMOS
%K channel
%K peak electric field
%K hot carrier effects<br>LDMOS
%K 沟道
%K 峰值电场
%K 热载流子效应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=11DEA39371B162BF&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=59906B3B2830C2C5&sid=721F8E311AAA0176&eid=B9018D9DCA7DD012&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=6&reference_num=15