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半导体学报 2004
Study on Synchro-Epitaxy of Poly- and Single Crystal Silicon
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Abstract:
介绍了多晶硅、单晶硅的同步外延.采用两步外延工艺,研究了硅烷流量、外延时间以及外延温度对外延质量参数α的影响.硅烷流量大、初始诱生时间短,则单晶硅条宽,多晶硅横向蔓延弱,但外延层质量可能较差.较优的条件是:硅烷诱生生长流量为13.1～17.5sccm,正常生长流量为7.0～7.88sccm,初始诱生时间为30～50s.温度影响较复杂,当温度低于980℃时,单晶硅条宽随温度增加而增加,在980℃附近达到最大,随后随温度增加单晶条宽降低
