%0 Journal Article
%T Study on Synchro-Epitaxy of Poly- and Single Crystal Silicon<br>多晶硅、单晶硅同步外延研究(英文)
%A Hu Dongqing
%A Li Siyuan
%A Wang Yongshun
%A <br>胡冬青
%A 李思渊
%A 王永顺
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 介绍了多晶硅、单晶硅的同步外延.采用两步外延工艺,研究了硅烷流量、外延时间以及外延温度对外延质量参数α的影响.硅烷流量大、初始诱生时间短,则单晶硅条宽,多晶硅横向蔓延弱,但外延层质量可能较差.较优的条件是:硅烷诱生生长流量为13.1～17.5sccm,正常生长流量为7.0～7.88sccm,初始诱生时间为30～50s.温度影响较复杂,当温度低于980℃时,单晶硅条宽随温度增加而增加,在980℃附近达到最大,随后随温度增加单晶条宽降低
%K synchro-epitaxy
%K nucleation
%K CVD<br>同步外延
%K 成核
%K 化学气相淀积
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F94C52D53E4E1C4F&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=708DD6B15D2464E8&sid=196B965FCC00ED31&eid=09D89DB7E3DF529E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=9