Influence of Doping on Growth of Silicon Window Layers
掺杂对硅薄膜窗口材料生长的影响

研究了掺杂剂对p型微晶硅窗口材料生长的影响.实验发现,与B(CH3) 3不同,B2 H6 作为微晶硅掺杂剂时,掺硼量对材料的晶化率和生长速率有重要影响.在线等离子体发射光谱分析表明:B2 H6 的掺入会使辉光光谱中Si H*等各种离子密度增强,而B(CH3) 3作掺杂剂时,随B(CH3) 3量的增加,Si H*峰值增加较少,而H2 *和H*的峰值会有较大幅度的提升