%0 Journal Article
%T Influence of Doping on Growth of Silicon Window Layers<br>掺杂对硅薄膜窗口材料生长的影响
%A Guo Qunchao
%A Geng Xinhua
%A Zhang Jian xin
%A Liu Guobiao
%A <br>郭群超
%A 耿新华
%A 张建新
%A 刘国标
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 研究了掺杂剂对p型微晶硅窗口材料生长的影响.实验发现,与B(CH3) 3不同,B2 H6 作为微晶硅掺杂剂时,掺硼量对材料的晶化率和生长速率有重要影响.在线等离子体发射光谱分析表明:B2 H6 的掺入会使辉光光谱中Si H*等各种离子密度增强,而B(CH3) 3作掺杂剂时,随B(CH3) 3量的增加,Si H*峰值增加较少,而H2 *和H*的峰值会有较大幅度的提升
%K window layer
%K doping
%K plasma optical emission spectroscopy<br>窗口材料
%K 掺杂
%K 等离子体发光谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CF47C99CEA31CFEE&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=5348E91DA94080DE&eid=87EA718095CEFCE5&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=7