超高温退火(1400℃)对SIMOX结构性能的影响

本文着重研究了1400℃超高温退火对SIMOX结构的影响,并与常规的高温退火(1100℃)进行了对比。实验结果表明:超高温退火能显著地改善Si-SiO_2界面特性。消除顶部硅层中的氧沉淀缺陷。但同时,超高温退火也给SIMOX带来了硅片形变、滑移、顶部硅层中氧含量高等新问题。