%0 Journal Article
%T 超高温退火(1400℃)对SIMOX结构性能的影响
%A 陈南翔
%A 王忠烈
%A 黄敞
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 本文着重研究了1400℃超高温退火对SIMOX结构的影响,并与常规的高温退火(1100℃)进行了对比。实验结果表明:超高温退火能显著地改善Si-SiO_2界面特性。消除顶部硅层中的氧沉淀缺陷。但同时,超高温退火也给SIMOX带来了硅片形变、滑移、顶部硅层中氧含量高等新问题。
%K 半导体材料
%K 高温退火
%K 结构性能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1C91FAE5D5051A87&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=708DD6B15D2464E8&sid=D40528F59753C0F7&eid=85C7135C065B9251&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=1