Transport Properties of GaAs/AlGaAs Quantum Well
GaAs/AlGaAs量子阱的输运特性
Wang Xinghua/National Laboratory for Superlattice,
Related Microstructures,
Institute of Semiconductors,
Academia Sinica,
P O Box,
Beijing,
China Zheng Houzhi/National Laboratory for Superlattice,
Related Microstructures,
Institute of Semiconductors,
Academia Sinica,
P O Box,
Beijing,
China,
王杏华,
郑厚植
Keywords: Transport properties,GaAs/AlGaAs,Quantum well
GaAs／AlGaAs,量子阱,运输特性
Abstract:
本文研究了低迁移率GaAs/AlGaAs量子阱的散射机制。由电导测量和Shubnikov de-Haas振荡曲线分别得到输运散射时间τ_0和弛豫时间τ_q(量子散射时间)。在GaAs/AlGaAs量子阱中,τ_0≈τ_q;而在调制掺杂的异质结中,τ_0》τ_q。用量子阱、异质结中起支配作用的散射机构不同很好地解释了实验结果。本文还研究了弱磁场下量子阱的负磁阻效应,这是磁场抑制了电子局域态的结果。
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