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半导体学报 1997
Zn_(1-x)Mg_xSe外延合金薄膜的结构研究Keywords: 分子束延法,外延生长,三元合金薄膜,半导体材料 Abstract: 用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了Zn1-xMgxSe三元合金薄膜(0≤x≤1),用X-射线衍射和喇曼散射谱7研究了薄膜的结构,发现对x较小的样品,合金层为单一的(100)面闪锌矿结构,(111)面的含量可以忽略.对x≈0.5的样品,合金层中(100)和(111)面的闪锌矿结构共存,两种结构呈现不同的组分,且(111)结构的x值总是小于(100)结构.对x=1的样品,外延层呈现单一的(100)氯化钠结构.对不同结构和含量所作的定量分析表明,(111)面闪锌矿结构可能是Zn1-xMgxSe合金从(100)面闪锌矿结构向(100)面氯化钠结构转变的中间相.
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