%0 Journal Article
%T Zn_(1-x)Mg_xSe外延合金薄膜的结构研究
%A 魏彦锋
%A 黄大鸣
%A 王东红
%A 靳彩霞
%A 王杰
%A 沈孝良
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长了Zn1-xMgxSe三元合金薄膜（0≤x≤1），用X-射线衍射和喇曼散射谱7研究了薄膜的结构，发现对x较小的样品，合金层为单一的（100）面闪锌矿结构，（111）面的含量可以忽略．对x≈0．5的样品，合金层中（100）和（111）面的闪锌矿结构共存，两种结构呈现不同的组分，且（111）结构的x值总是小于（100）结构．对x＝1的样品，外延层呈现单一的（100）氯化钠结构．对不同结构和含量所作的定量分析表明，（111）面闪锌矿结构可能是Zn1-xMgxSe合金从（100）面闪锌矿结构向（100）面氯化钠结构转变的中间相．
%K 分子束延法
%K 外延生长
%K 三元合金薄膜
%K 半导体材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E3102F847C8932C984B0480F1D132116&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=59906B3B2830C2C5&sid=E348995F86F60FD3&eid=3E851F4852A9516C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3