%0 Journal Article
%T 优质高阻异型厚层硅外延IGBT材料n~－／n~＋／p~＋
%A 杨谟华
%A 黎展荣
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 我们的实验研究结果表明，已经在ｎ~－／ｎ~＋／ｐ~＋材料的纵向电气与几何参数的最佳理论设计、关键的工艺生长技术和缺陷控制诸主要方面取得了进展，并因此制备了２－３”１００μｍ厚度的高阻异型镜面硅外延付，且将其成功应用于１３００Ｖ／２０Ａ高性能ＩＧＢＴ的研制．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B4C8AA7E52A853F4&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=3BAAE0DA6093AC05&eid=5A735990D5DE8BF4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0