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半导体学报 2005
An Emitter Delay Time Model of an SiGe HBT
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Abstract:
在对SiGe HBT（异质结双极晶体管）载流子输运的研究基础上，建立了包括基区扩展效应SiGe HBT发射极延迟时间τe模型．发射极延迟时间与发射结势垒电容和集电结势垒电容密切相关．在正偏情况下，通常采用的势垒区耗尽层近似不再适用，此时需要考虑可动载流子的影响．本文重点分析了电流密度及发射结面积等参数对SiGe HBT发射极延迟时间的影响．
