%0 Journal Article
%T An Emitter Delay Time Model of an SiGe HBT<br>SiGe HBT发射极延迟时间模型
%A Hu Huiyong
%A Zhang Heming
%A Dai Xianying
%A Zhu Yonggang
%A Wang Shunxiang
%A Wang Wei
%A Cui Xiaoying
%A Wang Qing
%A Wang Xiyuan
%A <br>胡辉勇
%A 张鹤鸣
%A 戴显英
%A 朱永刚
%A 王顺祥
%A 王伟
%A 崔晓英
%A 王青
%A 王喜媛
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 在对SiGe HBT（异质结双极晶体管）载流子输运的研究基础上，建立了包括基区扩展效应SiGe HBT发射极延迟时间τe模型．发射极延迟时间与发射结势垒电容和集电结势垒电容密切相关．在正偏情况下，通常采用的势垒区耗尽层近似不再适用，此时需要考虑可动载流子的影响．本文重点分析了电流密度及发射结面积等参数对SiGe HBT发射极延迟时间的影响．
%K SiGe HBT
%K barrier capacitance
%K emitter delay time<br>SiGe
%K HBT
%K 势垒电容
%K 发射极延迟时间
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D4D59D6EAEA5185F&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=7A60741D2B519BE0&eid=79D108842269596A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10