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ISSN: 2333-9721
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GaAlAs/GaAs SQW SCH LD Fabricated on Si by MOCVD
硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱激光器

Keywords: Semiconductor Laser,OEIC (Optoelectronic Integrated Circuit),GaAs grown on Si,Mismatched Hetero Epitaxial
半导体,激光器,光电集成,量子阱,硅

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Abstract:

采用MOCVD方法在硅衬底上生长了带应力超晶格的GaAlAs/GaAs单量子阱外延片,并用质子轰击隔离法制成10微米条形单量子阱激光器.在室温下加脉冲电流(重复频率26KHz,脉宽1μs)观察到受激发射.最低阈电流92mA、激射波长849.2nm,外微分量子效率11％.

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