%0 Journal Article
%T GaAlAs/GaAs SQW SCH LD Fabricated on Si by MOCVD<br>硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱激光器
%A 庄婉如
%A 石志文
%A 杨培生
%A 梅野正義
%A 神保孝志
%A 曾我哲夫
%J 半导体学报
%D 1989
%I 
%X 采用MOCVD方法在硅衬底上生长了带应力超晶格的GaAlAs/GaAs单量子阱外延片,并用质子轰击隔离法制成10微米条形单量子阱激光器.在室温下加脉冲电流(重复频率26KHz,脉宽1μs)观察到受激发射.最低阈电流92mA、激射波长849.2nm,外微分量子效率11％.
%K Semiconductor Laser
%K OEIC (Optoelectronic Integrated Circuit)
%K GaAs grown on Si
%K Mismatched Hetero Epitaxial<br>半导体
%K 激光器
%K 光电集成
%K 量子阱
%K 硅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1DA7C0ACF6AB01C2&yid=1833A6AA51F779C1&vid=F3090AE9B60B7ED1&iid=59906B3B2830C2C5&sid=40700C9CB4E84E3B&eid=5357CC5E80802025&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1