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ISSN: 2333-9721
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Fabrication of AlGaN/GaN HEMT Grown on 4H-SiC
4H-SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的研制

Keywords: H-SiC,AlGaN/GaN,high-electron-mobility transistors
4H-SiC,AlGaN/GaN,高电子迁移率晶体管

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Abstract:

报道了在4H-SiC衬底上AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研制和室温特性测试结果.器件采用栅长为0.7μm,夹断电压为-3.2V,获得了最高跨导为202mS/mm,最大漏源饱和电流密度为915mA/mm的优良性能和结果.

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