High-Power and High-Efficiency 650nm-Band AlGaInP Visible Laser Diodes Fabricated by Ion Beam Etching
离子束刻蚀法制备大功率高效率650nm AlGaInP可见光激光器(英文)

用纯Ar离子束刻蚀方法制备出大功率高效率6 5 0 nm实折射率Al Ga In P压应变量子阱激光器.对偏角衬底,干法刻蚀可得到湿法腐蚀不能得到的高垂直度和对称台面.制备的激光器条宽腔长分别为4 μm和6 0 0 μm,前后端面镀膜条件为10 % / 90 % .室温下阈值电流的典型值为4 6 m A,输出功率为4 0 m W时仍可保持基横模.10 m W,4 0 m W时的斜率效率分别为1.4 W/ A和1.1W/ A.