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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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Fabrication of SiGe/Si Multi-Quantum Wells Resonant-Cavity-Enhanced Detector
SiGe共振腔增强型探测器的制备(英文)
Li Chuanbo, Mao Rongwei, Zuo Yuhua, Cheng Buwen, Shi Wenhua, Zhao Lei, Luo Liping, Yu Jinzhong, Wang Qiming,
李传波, 毛荣伟, 左玉华, 成步文, 时文华, 赵雷, 罗丽萍, 余金中, 王启明
Keywords: RCE,detector,SOI,SiGe
RCE,探测器,SOI,SiGe
Abstract:
利用SOI材料的埋层二氧化硅的自停止特性,成功制作了具有高反射底镜的共振腔增强型SiGe探测器.底镜沉积于EPW腐蚀液腐蚀形成的背孔内,在1.2～1.5μm范围内,反射率高达99%.探测器的共振峰在1.344μm,光响应为1.2mA/W.与普通结构的探测器相比,文中所报道的探测器光响应有8倍的增强. Full-Text
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