%0 Journal Article
%T Fabrication of SiGe/Si Multi-Quantum Wells Resonant-Cavity-Enhanced Detector<br>SiGe共振腔增强型探测器的制备(英文)
%A Li Chuanbo
%A Mao Rongwei
%A Zuo Yuhua
%A Cheng Buwen
%A Shi Wenhua
%A Zhao Lei
%A Luo Liping
%A Yu Jinzhong
%A Wang Qiming
%A <br>李传波
%A 毛荣伟
%A 左玉华
%A 成步文
%A 时文华
%A 赵雷
%A 罗丽萍
%A 余金中
%A 王启明
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 利用SOI材料的埋层二氧化硅的自停止特性,成功制作了具有高反射底镜的共振腔增强型SiGe探测器.底镜沉积于EPW腐蚀液腐蚀形成的背孔内,在1.2～1.5μm范围内,反射率高达99%.探测器的共振峰在1.344μm,光响应为1.2mA/W.与普通结构的探测器相比,文中所报道的探测器光响应有8倍的增强.
%K RCE
%K detector
%K SOI
%K SiGe<br>RCE
%K 探测器
%K SOI
%K SiGe
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6C8467238ADFC573&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=59906B3B2830C2C5&sid=24F102A8BA6EDE6E&eid=14287D13823C7461&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=15