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ISSN: 2333-9721
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Effect of High Temperature Annealing on Characteristics of 4H Silicon Carbide MESFET
离子注入高温退火对4H-SiC MESFET特性的影响(英文)

Keywords: silicon carbide,annealing,surface composition analysis,ohmic contact,I-V characteristics
碳化硅,退火,表面分析,欧姆接触,I-V特性

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Abstract:

采用人造刚玉高温炉管对 4 H- Si C进行 16 2 0℃的离子注入后退火 .实验测试发现 ,在刚玉管壁析出的微量铝的作用下 ,Si C表面与残余的氧成分反应生成衍生物 Si OC,造成材料表面粗糙和反应离子刻蚀速率很低 .分别采用该种样片和正常样片制作了单栅 MESFET,对比测试的欧姆接触和 I- V输出特性 ,评估了高温退火后材料表面对器件的影响

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