%0 Journal Article
%T Effect of High Temperature Annealing on Characteristics of 4H Silicon Carbide MESFET<br>离子注入高温退火对4H-SiC MESFET特性的影响(英文)
%A Yang Linan
%A Zhang Yimen
%A Yu Chunli
%A Zhang Yuming
%A Chen Gang
%A Huang Nianning
%A <br>杨林安
%A 张义门
%A 于春利
%A 张玉明
%A 陈刚
%A 黄念宁
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 采用人造刚玉高温炉管对 4 H- Si C进行 16 2 0℃的离子注入后退火 .实验测试发现 ,在刚玉管壁析出的微量铝的作用下 ,Si C表面与残余的氧成分反应生成衍生物 Si OC,造成材料表面粗糙和反应离子刻蚀速率很低 .分别采用该种样片和正常样片制作了单栅 MESFET,对比测试的欧姆接触和 I- V输出特性 ,评估了高温退火后材料表面对器件的影响
%K silicon carbide
%K annealing
%K surface composition analysis
%K ohmic contact
%K I-V characteristics<br>碳化硅
%K 退火
%K 表面分析
%K 欧姆接触
%K I-V特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D50CE61BFFC46397&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=94C357A881DFC066&sid=8C8D895E58E44DBB&eid=ABF2590617D31FFD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6