深阱RF功率双极晶体管雪崩击穿特性的模拟分析

本文提出一种能有效提高ＲＦ功率晶体管雪崩击穿电压和频率特性的晶体管结构深阱ＲＦ功率双极晶体管，并且采用ＭＥＤＩＣＩ分析软件研究了影响器件特性的一些因素：深阱阱壁的宽度与深度、阱壁填充介质、界面电荷以及场板．采用这种技术的功率晶体管（ＶＨＦ，线性输出功率１５Ｗ）的结构参数为ＮＣ＝７０×１０１５ｃｍ－３Ｎ型外延层，集电结结深ＸＪＣ＝０３μｍ，未掺杂多晶硅填充深槽．典型的器件雪崩击穿电压为ＢＶＣＢＯ＝７２Ｖ，截止频率１６ＧＨｚ；并且该晶体管具有较小的漏电流（～２０μＡ）．这初步显示了深阱结构在ＲＦ功率晶