%0 Journal Article %T 深阱RF功率双极晶体管雪崩击穿特性的模拟分析 %A 张玉才 %A 胡思福 %J 半导体学报 %D 1999 %I %X 本文提出一种能有效提高RF功率晶体管雪崩击穿电压和频率特性的晶体管结构深阱RF功率双极晶体管,并且采用MEDICI分析软件研究了影响器件特性的一些因素:深阱阱壁的宽度与深度、阱壁填充介质、界面电荷以及场板.采用这种技术的功率晶体管(VHF,线性输出功率15W)的结构参数为NC=70×1015cm-3N型外延层,集电结结深XJC=03μm,未掺杂多晶硅填充深槽.典型的器件雪崩击穿电压为BVCBO=72V,截止频率16GHz;并且该晶体管具有较小的漏电流(~20μA).这初步显示了深阱结构在RF功率晶 %K 双极晶体管 %K 雪崩击穿 %K 深阱晶体管 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4727C18B61166E37&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=5D311CA918CA9A03&sid=2A22E972FD97071B&eid=99A964928ADB4E67&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=3