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Keywords: 大规模集成电路,栅介质,F-N效应,测试
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本文建立了一套用于MOS电容热载流子损伤研究的自动测试分析系统,用高频和准静态C-V技术,分析研究了栅介质中F离子的引入所具有的抑制Fowler-Nordheim高场应力损伤的特性,对F离子和高场应力作用机制进行了讨论.
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