%0 Journal Article
%T 含F栅介质的Fowler-Nordheim效应
%A 张国强
%A 严荣良
%A 余学锋
%A 高剑侠
%A 任迪远
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文建立了一套用于ＭＯＳ电容热载流子损伤研究的自动测试分析系统，用高频和准静态Ｃ－Ｖ技术，分析研究了栅介质中Ｆ离子的引入所具有的抑制Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ高场应力损伤的特性，对Ｆ离子和高场应力作用机制进行了讨论．
%K 大规模集成电路
%K 栅介质
%K F－N效应
%K 测试
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBEE9AD3C1449C4517FED5790C8FBE6F&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=5D311CA918CA9A03&sid=D9D6C3CD78BED2C5&eid=06D504E5261AB652&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=3