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Keywords: 单量子阱,激光器,材料生长
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本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性.激光器的室温连续输出功率达到2W.在95℃高温连续工作状态下,其输出功率仍可达到500mW的水平.器件的特征温度高达185K(35~85℃)及163K(85~95℃).同室温相比,器件在95℃的工作条件下,其功率输出的斜效率下降了23%.
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