%0 Journal Article
%T 高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性
%A 朱东海
%A 王占国
%A 梁基本
%A 徐波
%A 朱战萍
%A 张隽
%A 龚谦
%A 金才政
%A 丛立方
%A 胡雄伟
%A 韩勤
%A 方祖捷
%A 刘斌
%A 屠玉珍
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性．激光器的室温连续输出功率达到2W．在95℃高温连续工作状态下，其输出功率仍可达到500mW的水平．器件的特征温度高达185K（35～85℃）及163K（85～95℃）．同室温相比，器件在95℃的工作条件下，其功率输出的斜效率下降了23％．
%K 单量子阱
%K 激光器
%K 材料生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3E1DE19036315520&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=94C357A881DFC066&sid=AFB2C35009D5D191&eid=0BD4FAD4A90498AB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=3