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Keywords: 硅(100),水分子,吸附,半导体,表面
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本文用Si66H50原子集团模拟Si(100)表面,采用CNDO分子轨道理论方法计算了H2O在其上吸附的势能面.确定出H2O在Si(100)表面的最佳吸附位为洞位.在桥位Ⅰ、桥位Ⅱ和顶位上吸附时势能依次升高.
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