%0 Journal Article
%T 水分子在Si（100）面上吸附位的确定
%A 张瑞勤
%A 楚天舒
%A 戴国才
%A 吴汲安
%A 邢益荣
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文用Ｓｉ６６Ｈ５０原子集团模拟Ｓｉ（１００）表面，采用ＣＮＤＯ分子轨道理论方法计算了Ｈ２Ｏ在其上吸附的势能面．确定出Ｈ２Ｏ在Ｓｉ（１００）表面的最佳吸附位为洞位．在桥位Ⅰ、桥位Ⅱ和顶位上吸附时势能依次升高．
%K 硅（100）
%K 水分子
%K 吸附
%K 半导体
%K 表面
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=94D6C56439B74955&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=708DD6B15D2464E8&sid=45D68DF69BA881EC&eid=95780E43ADDDE2AA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9