GaAs(100)同质外延表面相变的动态过程研究

本文叙述了用CCD系统对MBE生长中RHEED图案强度变化进行实时监测，通过（00）级条纹的RHEED强度分析，直接给出了不同生长条件下表面相变的动态过程，得到了从C（4×4）到α（2×4）的连续相变过程，进一步给出了不同条件下的表面化学配比情况．