%0 Journal Article
%T GaAs(100)同质外延表面相变的动态过程研究
%A 刘兴权
%A 陆卫
%A 马朝晖
%A 陈效双
%A 乔怡敏
%A 万明芳
%A 沈学础
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文叙述了用CCD系统对MBE生长中RHEED图案强度变化进行实时监测，通过（00）级条纹的RHEED强度分析，直接给出了不同生长条件下表面相变的动态过程，得到了从C（4×4）到α（2×4）的连续相变过程，进一步给出了不同条件下的表面化学配比情况．
%K 砷化镓
%K 分子束外延
%K 同质外延
%K 表面相变
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F4D668E0CB6B8A29&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=B31275AF3241DB2D&sid=A53D7AA35F9929AF&eid=34D9E20AD82A0D72&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0