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半导体学报 2004
Simulation and Experimental of Three-Terminal Bidirectional Negative Resistance Transistor
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Abstract:
对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了研究.根据器件模拟得到了器件内部电势和电场分布,解释了S型负阻特性产生机理.分别从模拟和实验得到了输出负阻曲线随控制极电压变化的情况,结果表明,随控制电压的增大,转折电压、转折电流和维持电压均增大.模拟结果和实验结果一致.BNRT的三端化实现,克服了两端应用的诸多缺点,大大增加了它在高速脉冲电路中的应用灵活性
