%0 Journal Article
%T Simulation and Experimental of Three-Terminal Bidirectional Negative Resistance Transistor<br>三端双向负阻晶体管的模拟与实验
%A Mo Taishan
%A Zhang Shilin
%A Guo Weilian
%A Liang Huilai
%A Mao Luhong
%A Zheng Yunguang
%A <br>莫太山
%A 张世林
%A 郭维廉
%A 梁惠来
%A 毛陆虹
%A 郑云光
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了研究.根据器件模拟得到了器件内部电势和电场分布,解释了S型负阻特性产生机理.分别从模拟和实验得到了输出负阻曲线随控制极电压变化的情况,结果表明,随控制电压的增大,转折电压、转折电流和维持电压均增大.模拟结果和实验结果一致.BNRT的三端化实现,克服了两端应用的诸多缺点,大大增加了它在高速脉冲电路中的应用灵活性
%K 双向负阻晶体管
%K 三端
%K S型负阻
%K 器件模拟
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1DD4B7D6B90A3759&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=5D311CA918CA9A03&sid=4CA738ADDC4F9A9D&eid=74EAF208D0F1A3E3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9