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ISSN: 2333-9721
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High Transconductance AlGaN/GaN HEMT Growth on Sapphire Substrates
高跨导AlGaN/GaN HEMT器件(英文)

Keywords: AlGaN/GaN,high electron mobility transistors,transconductance
AlGaN/GaN
,HEMTs,跨导

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Abstract:

报道了生长在蓝宝石衬底上的AlGaN/GaNHEMT器件的制造工艺以及在室温下器件的性能.器件的栅长为1 0 μm ,源漏间距为4 0 μm .器件的最大电流密度达到1 0 0 0mA/mm ,最大跨导高达1 98mS/mm ,转移特性曲线表现出增益带宽较宽的特点.同时由所测得的S参数推出栅长为1 0 μm器件的截止频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为1 8 7GHz和1 9 1GHz.

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