%0 Journal Article
%T High Transconductance AlGaN/GaN HEMT Growth on Sapphire Substrates<br>高跨导AlGaN/GaN HEMT器件(英文)
%A Xiao Dongping
%A Liu Jian
%A Wei KE
%A He Zhijing
%A Liu Xinyu
%A Wu Dexin
%A <br>肖冬萍
%A 刘键
%A 魏珂
%A 和致经
%A 刘新宇
%A 吴德馨
%J 半导体学报
%D 2003
%I 
%X 报道了生长在蓝宝石衬底上的AlGaN/GaNHEMT器件的制造工艺以及在室温下器件的性能.器件的栅长为1 0 μm ,源漏间距为4 0 μm .器件的最大电流密度达到1 0 0 0mA/mm ,最大跨导高达1 98mS/mm ,转移特性曲线表现出增益带宽较宽的特点.同时由所测得的S参数推出栅长为1 0 μm器件的截止频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为1 8 7GHz和1 9 1GHz.
%K AlGaN/GaN
%K high electron mobility transistors
%K transconductance<br>AlGaN/GaN
%K HEMTs
%K 跨导
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=87DFA50F51662994&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=3382A18868551611&eid=A02B0E6E62BE4F0C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=7&reference_num=7