%0 Journal Article
%T 利用电子束掺杂技术制备微米、亚微米P－MOSFET器件
%A 李秀琼
%A 海潮和
%A 杨军
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文对辉光放电电子束在ＭＯＳＦＥＴ中的应用进行研究．结果表明，利用辉光放电电子束掺杂方法成功地实现了微米、亚微米Ｐ－ＭＯＳＰＥＴ．器件的漏流小，Ｉ－Ｖ特性好，源漏结浅、均匀和横向掺杂效应小．此方法与常规ＭＯＳ工艺兼容，所需的设备结构简单、操作方便，价格低廉，易于推广到ＶＬＳＩ中去．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BE37012EDCA3D496&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=38B194292C032A66&sid=02DC3A182A5530DF&eid=334E2BB8B9A55ABB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0